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半導體晶體清洗機的設計、選購、制造、檢驗和測試均按照相關(guān)國家、半導體行業(yè)標準執(zhí)行，但合同中或技術(shù)文件中另有規(guī)定的除外。外購配件執(zhí)行相應的國家標準、行業(yè)標準、規(guī)范及企業(yè)標準；半導體晶體清洗機包括設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。

半導體晶體清洗機主要適用于半導體晶體的清洗工作，設備采用全封閉結(jié)構(gòu)，全面完善的防腐防酸措施，保證工件的潔凈；特有的氮氣泡鼓泡系統(tǒng)提高清洗品質(zhì)及清洗效率；根據(jù)不同要求，可自由選擇干燥方式； PLC自動監(jiān)控，全伺服機械驅(qū)動系統(tǒng)，性能穩(wěn)定； 國內(nèi)領(lǐng)先自動補液技術(shù)，提高清洗效率；德國進口材質(zhì)輥輪傳輸方式快速穩(wěn)定，降低了產(chǎn)品“碎片率”。

半導體晶體清洗機清洗工藝流程：

第一槽：超聲波粗洗（超聲波結(jié)合清洗液對產(chǎn)品進行全方位清洗，剝離污漬）

第二槽：超聲波精洗（使用清水進行二次清洗，進一步清洗殘留雜質(zhì)）

第三槽：超聲波精洗（使用清水進行三次清洗，進一步清洗殘留雜質(zhì)）

第四槽：高壓噴淋漂洗（使用清水用高壓水的方式去除產(chǎn)品上殘留的清洗液，保護產(chǎn)品）

第五槽：超聲波漂洗（使用清水進行一次清洗，進一步清洗殘留雜質(zhì)和去除清洗液）

第六槽：超聲波漂洗（使用清水進行二次清洗，進一步清洗殘留雜質(zhì)和去除清洗液）

第七槽：超聲波漂洗（使用清水進行三次清洗，進一步清洗殘留雜質(zhì)和去除清洗液）

第八槽：超聲波漂洗（使用清水進行四次清洗，進一步清洗殘留雜質(zhì)和去除清洗液）

第九槽：慢接脫水干燥（在慢拉的作用下工作表面不會出現(xiàn)水珠，在烘干時不會有水印）

第十槽：熱風循環(huán)烘干（對產(chǎn)品就行烘干，防止出現(xiàn)水斑和氧化）

第十一槽：熱風循環(huán)烘干（對產(chǎn)品就行烘干，防止出現(xiàn)水斑和氧化）

設備包括：設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等；

主體：設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中；

骨 架：鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成，防止外殼銹蝕；

臺 面：高度為850mm；

儲物區(qū)：位于工作臺面左側(cè)，約280mm寬，儲物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐；

安全門：前側(cè)下開透明安全門，腳踏控制；

工藝槽：模組化設計，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險；

管路系統(tǒng)：位于設備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；

電氣保護：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接觸的電氣及線路均經(jīng)PFA防腐隔絕處理，電氣柜CDA/N2充氣保護其中的電器控制元件；

排 風：后部排風和下沉式設計，風量可調(diào)節(jié)，對操作員有安全保護；

送 風：設備頂部有FFU百級凈化送風裝置，設備沿前側(cè)板鑲嵌入墻體，保證后上部送風；

照 明：工作區(qū)頂部配有雙光日光燈照明；

水汽槍：機臺前部配備有PTFE純水槍和PTFE氮氣槍各1只置于右側(cè)，方便操作員手工清洗槽體或工件；

機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且有高低調(diào)整及鎖定功能。

安全保障：完善的報警和保護設計，排風壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖，直觀的操作界面，清晰的信息提示，保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示燈置于機臺上方明顯處。

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